正文 我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件|界面新闻 · 快讯 hsadmin88 V管理员 /2025-02-03 06:38:04/2阅读/0评论 0203 文章最后更新时间2025年02月03日,若文章内容或图片失效,请留言反馈! 以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现